职位描述
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工作职责:
1.电子专业本科及以上学历。
2.10年 以上模拟电路设计验证经验。
3.有22nm或以下工艺独立设计DDR3/4 PHY IO模拟部分电路设计经验,有成功量产和测试记录。
4.能指导测试工程师使用先关仪器进行DDR PHY IO的测试。
任职资格:
1.负责高速DDR PHY IO里模拟部分电路的设计,仿真。
2.指导版图工程师绘制版图。
3.指导测试工程师测试DDR PHY IO。
4.负责提高团队人员对高速DDR PHY IO设计能力。
1.电子专业本科及以上学历。
2.10年 以上模拟电路设计验证经验。
3.有22nm或以下工艺独立设计DDR3/4 PHY IO模拟部分电路设计经验,有成功量产和测试记录。
4.能指导测试工程师使用先关仪器进行DDR PHY IO的测试。
任职资格:
1.负责高速DDR PHY IO里模拟部分电路的设计,仿真。
2.指导版图工程师绘制版图。
3.指导测试工程师测试DDR PHY IO。
4.负责提高团队人员对高速DDR PHY IO设计能力。
工作地点
地址:上海徐汇区宜山路717号2号楼6楼
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职位发布者
HR
上海富瀚微电子股份有限公司

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电子·微电子
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公司规模未知
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私营·民营企业
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上海上海徐汇区上海市徐汇区华鑫中心2号楼(宜山路717号)6楼