职位描述
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工作职责:
1. 负责功率模块(IGBT和SiC)的设计开发及评审工作;
2. 负责功率半导体模块子部件材料选型、工艺评审及管控;
3. 熟悉功率半导体物理特性,负责模块的失效分析和评估;
4. 与合作部门及供应商等沟通、协调、及时调整目标和进度,满足项目要求;
5. 负责模块项目的推进、上下游对接;
任职资格:
任职要求:
1.本科5年以上工作经验,或硕士以上学历有3年经验;
2.了解IGBT/SIC功率模块工作原理, 对IGBT芯片特性、功率模块内部布局、功率模块关键组成材料特性(有IGBT/SIC功率模块结构设计项目经验更佳);
3、独立的问题分析与解决能力。
4、诚实、积极主动、创新、具备快速学习能力;
5、良好的沟通,团队合作及英语水平。
1. 负责功率模块(IGBT和SiC)的设计开发及评审工作;
2. 负责功率半导体模块子部件材料选型、工艺评审及管控;
3. 熟悉功率半导体物理特性,负责模块的失效分析和评估;
4. 与合作部门及供应商等沟通、协调、及时调整目标和进度,满足项目要求;
5. 负责模块项目的推进、上下游对接;
任职资格:
任职要求:
1.本科5年以上工作经验,或硕士以上学历有3年经验;
2.了解IGBT/SIC功率模块工作原理, 对IGBT芯片特性、功率模块内部布局、功率模块关键组成材料特性(有IGBT/SIC功率模块结构设计项目经验更佳);
3、独立的问题分析与解决能力。
4、诚实、积极主动、创新、具备快速学习能力;
5、良好的沟通,团队合作及英语水平。
工作地点
地址:深圳龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园
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职位发布者
HR
深圳方正微电子有限公司
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